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SPD30N03S2L-20 G详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET N-CH 30V 30A TO252-3; 系列：OptiMOS™; 制造商：Infineon Technologies; FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物; FET特点：逻辑电平门; 漏极至源极电压333Vdss444：30V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：30A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：20 毫欧 @ 18A，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：2V @ 23µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：19nC @ 10V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：700pF @ 25V; 功率_最大：60W; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63; 供应商设备封装：PG-TO252-3; 包装：剪切带 (CT)

SPD30N03S2L-20 G详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET N-CH 30V 30A TO252-3; 系列：OptiMOS™; 制造商：Infineon Technologies; FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物; FET特点：逻辑电平门; 漏极至源极电压333Vdss444：30V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：30A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：20 毫欧 @ 18A，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：2V @ 23µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：19nC @ 10V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：700pF @ 25V; 功率_最大：60W; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63; 供应商设备封装：PG-TO252-3; 包装：带卷 (TR)

SPD30N03S2L-20 G详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET N-CH 30V 30A TO252-3; 系列：OptiMOS™; 制造商：Infineon Technologies; FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物; FET特点：逻辑电平门; 漏极至源极电压333Vdss444：30V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：30A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：20 毫欧 @ 18A，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：2V @ 23µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：19nC @ 10V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：700pF @ 25V; 功率_最大：60W; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63; 供应商设备封装：PG-TO252-3; 包装：Digi-Reel®

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RSM06DRXI
Card Edge, Edgeboard Connectors Sullins Connector Solutions 径向，Can - SMD CONN EDGECARD 12POS DIP .156 SLD
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逻辑 - 缓冲器，驱动器，接收器，收发器 Texas Instruments 24-SOIC（0.295"，7.50mm 宽） IC BUS TRANSCEIVER 8BIT 24SOIC
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逻辑 - 栅极和逆变器 Texas Instruments 8-UFQFN IC GATE POS-AND DUAL 2INP 8UQFN
SCB73C-120
固定式 Signal Transformer 非标准 INDUCTOR SMD 12UH 1.23A 1KHZ
SN65HVD233SHKJ
接口 - 驱动器，接收器，收发器 Texas Instruments 8-CDFF IC CAN TRANSCEIVER 5V 8CFP
SN74AHC1G32DBVR
逻辑 - 栅极和逆变器 Texas Instruments SC-74A，SOT-753 IC SGL 2IN POS-OR GATE SOT23-5

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